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5 月 18 日消息,三星宣布,采用 12 奈米制程工藝的16GB DDR5 DRAM 已經開始大量生產。
與上一代產品相比,三星 12 奈米的 DDR5 DRAM 的速率達到了 7.2Gbps,功耗降低了 23%,同時將晶圓的生產效率提高了 20%。
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根據三星去年公布的工藝講解,三星在 12 奈米制程技術上使用了一種新的 high-κ 高介電材料,有助于提高電池電容。而在高電容的情況下,數據信號出現明顯的電勢差,更容易進行準確區分。
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