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2022 年 12 月 23 日消息，三星電子宣布，已成功開發出其首款采用 12nm 工藝打造的 16GB DDR5 DRAM，并與 AMD 一起完成了兼容性方面的產品評估。

三星表示，這一技術突破是通過使用一種新的高介電（high-k）材料來增加電池電容，以及改進關鍵電路特性的專利設計技術而實現的。

三星數據顯示，結合先進的多層極紫外（EUV）光刻技術，新款 DRAM 擁有三星最高的 Die 密度（Die density），可使晶圓生產率提高 20%。基于 DDR5 最新標準，三星 12nm 級 DRAM 將解鎖高達 7.2 千兆每秒（Gbps）的速度。

能效方面，與上一代三星 DRAM 產品相比，12nm 級 DRAM 的功耗降低約 23%。

據了解，隨著 2023 年新款 DRAM 量產，三星計劃將這一基于先進 12nm 級工藝技術的 DRAM 產品擴展到更廣泛的市場領域。

關鍵詞： Samsung（三星） 固態硬盤 TORRAS（圖拉