據日媒報道， 日本鎧俠自2017年開始與半導體設備廠佳能，以及光罩、模板等半導體零組件制造商DNP合作，在日本三重縣四日市的鎧俠工廠內研發納米壓印微影技術(NIL)的量產技術，目前鎧俠已經掌握了15nm的量產技術，并正在向15nm以下的工藝研發，預計2025年開始生產

相比于目前已實用化的極紫外光(EUV)工藝而言，NIL工藝不使用EUV光刻機，降低了設備投入成本，并且耗能更低，據稱NIL的耗電量可壓低至EUV生產方式的10%，并讓設備投資降低至40%。但是NIL在量產上仍有不少問題有待解決，包括更容易因細微塵埃而形成瑕疵等的問題。

鎧俠表示，已解決NIL的基本技術問題，正在完善量產技術，希望能率先引入NAND生產。而根據DNP說法，NIL技術電路精細程度可達5nm，DNP將從2021年春季起，根據設備的規格進行內部仿真。